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摘要:
采用微机电系统(MEMS)技术在玻璃基片上制备了曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在电流频率1~40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应,并分别通过改变FeNi薄膜的宽度、厚度和Cu薄膜的宽度,研究了尺寸对巨磁阻抗效应的影响,当磁场Ha施加在薄膜的纵轴时,巨磁阻抗变化率随磁场强度的增加而增大,在某一磁场强度下达到最大值,然后随磁场强度的增加而下降到负值.在电流频率为2 MHz,磁场强度为2kA · m-1时,巨磁阻抗变化率达到最大值169.85%.
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文献信息
篇名 曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 物理学
关键词 MEMS 曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜 GMI
年,卷(期) 2011,(10) 所属期刊栏目 研究与试剂
研究方向 页码范围 60-63
页数 分类号 O484.4+3
字数 3125字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.10.016
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MEMS
曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜
GMI
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期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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