聚酰亚胺薄膜的电致发光和光致发光

• 作者: 倪海芳 李彩霞 林家齐
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 聚酰亚胺 光致发光 电致发光 吸收边
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 232-236
• 分类号: O482.31
• 字数: 3124字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113203.0232

摘要

测量了氙灯辐照后聚酰亚胺(PI)薄膜的光致发光(PL)强度、PL谱和氙灯辐照后直流高电场下PI薄膜的电致发光(EL)强度、EL谱、XRD谱和吸收光谱,研究了其EL、PL特性与微观结构的关系.结果表明:PI薄膜的PL强度随测量时间呈指数衰减,EL强度随场强呈指数增长;辐照39 h后,PI的预击穿场强为2.56MV/cm,低于原始PI的2.8 MV/cm;EL和PL光谱均在320,395,443,585,656,752 nm附近出现发光峰;辐照时间增长,PL强度明显增大,衰减变慢,PL峰数减少且红移,吸收边的最大吸收波长红移;场强增加,EL峰数减少且发生蓝移;由吸收边算得PI的光能隙约为2.76 eV,比由PL光谱算得的结果小0.38 eV.这些结果由光老化和电老化的综合作用所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李彩霞	哈尔滨理工大学应用科学院	22	113	6.0	10.0
2	林家齐	哈尔滨理工大学应用科学院	23	126	6.0	9.0
3	倪海芳	哈尔滨理工大学应用科学院	4	8	2.0	2.0