后处理对近空间升华法制备CdS薄膜性能影响研究

• 作者: 冯良桓 张静全 曾广根 李卫 武莉莉 蔡亚平 郑家贵 黎兵
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: CdS薄膜 近空间升华 退火
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1149-1152
• 分类号: O484
• 字数: 1682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2011.05.031

摘要

将近空间升华法(CSS)沉积所得的CdS薄膜进行退火处理,利用XRD、SEM、暗电导温度关系研究不同退火条件对CdS多晶薄膜性能的影响.结果表明退火后CdS多晶薄膜在(002)面上具有择优取向；退火促使再结晶并促进晶粒长大；暗电导(dark-σ)随退火温度增加而增加,暗电导激活能(Ea)随退火温度的增加而减少.最后得到较优化的退火条件,获得适合作为CdTe太阳电池窗口层的CdS薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎兵	四川大学材料科学与工程学院	44	264	8.0	15.0
2	冯良桓	四川大学材料科学与工程学院	78	424	10.0	17.0
3	蔡亚平	四川大学材料科学与工程学院	33	302	10.0	16.0
4	郑家贵	四川大学材料科学与工程学院	49	317	9.0	15.0
5	张静全	四川大学材料科学与工程学院	69	285	8.0	15.0
6	李卫	四川大学材料科学与工程学院	56	193	7.0	12.0
7	武莉莉	四川大学材料科学与工程学院	56	217	8.0	13.0
8	曾广根	四川大学材料科学与工程学院	21	17	2.0	3.0