应重视自旋电子学及其器件的产业化

• 作者: 都有为
• 来源期刊: 功能材料信息
• 学科: 物理学
• 关键词: 自旋电子学 器件 产业化
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 9-14
• 页数: 6页
• 分类号: O4-09

摘要

法国的Albert Fert教授与德国的Peter Grtinberg因在纳米多层膜的磁性结构中发现巨磁电阻效应（GMR）而荣获2007年度的诺贝尔物理学奖，电子具有电荷与自旋2个自由度，在传统的电子学中，仅仅是电荷被电场调控，称之为电荷为基的电子学，而GMR效应的发现开拓了有效地控制自旋制备新颖电子器件的基础，自旋电子学可定义为以自旋为基的电子学，其中自旋在器件中起着核心的作用。目前，自旋电子学效应已呈现出丰富多彩的重要的技术上的应用，自旋电子学是十分重要的具有战略意义的研究领域，列入发达国家重点支持的计划中。从物理学的观点来看，过去的世纪属于“电荷”的世纪，那么未来的世纪可能属于“自旋”的世纪。

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序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	都有为	南京大学物理系	108	1372	18.0	34.0