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引领28nm FPGA“智”造时代
引领28nm FPGA“智”造时代
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摘要：
推荐文章
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
28 nm超大规模FPGA的BRAM单粒子效应测试方法研究
现场可编程门阵列
单粒子效应
块随机读取存储器
敏感位定位
测试方法
28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计
低压差线性稳压器
带隙基准电路
28nm工艺
温度系数
低功耗低噪声
内容分析
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期刊影响力
电子产品世界
主办单位：
中国科学技术信息研究所(ISTIC)
美国国际数据集团(IDG)
出版周期：
月刊
ISSN：
1005-5517
CN：
11-3374/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市复兴路15号138室
邮发代号：
82-552
创刊时间：
1993
语种：
chi
出版文献量（篇）
11765
总下载数（次）
14
总被引数（次）
19602
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