非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展

• 作者: 刘学超 卓世异 施尔畏 杨建华 熊泽 陈之战
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体 ZnO 非磁性元素掺杂 室温铁磁性
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 1048-1052
• 分类号: TN304
• 字数: 4464字
• 语种: 中文

摘要

ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点.传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系.而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性.本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建华	中国科学院上海硅酸盐研究所	41	367	10.0	18.0
2	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
3	陈之战	中国科学院上海硅酸盐研究所	23	556	13.0	23.0
4	刘学超	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	94	4.0	9.0
5	卓世异	中国科学院上海硅酸盐研究所	5	13	2.0	3.0
9	熊泽	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	10	2.0	2.0