一种低功耗无电容型LDO的设计

• 作者: 原义栋 张海峰 王晋雄
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 密勒补偿 限流保护 省电模式 低功耗
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 316-321
• 分类号: TN432
• 字数: 2973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.04.015

摘要

提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO(low drop out)电路.该电路采用折叠型cascode运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;并在电路中加入了一种新的限流保护结构以保证输出电流过大时对LDO的输出进行保护.此外,在电路中加入了省电模式,可在保持LDO输出1.8 V情况下节省大于70%的功耗.该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺,仿真结果显示:在2.5～5.5 V电源供电、各个工艺角及温度变化条件下,LDO输出的线性调整率小于2.3 mV/V,负载调整率小于14μV/mA,温度系数小于27×10-6/℃;在正常工作模式下,整个LDO消耗85μA电流;在省电模式下仅消耗23μA电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	原义栋		3	22	2.0	3.0
2	张海峰		4	22	2.0	4.0
3	王晋雄		1	12	1.0	1.0