GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备

• 作者: 于广辉 李世国 王新中
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 阳极氧化铝 铝 电化学 超薄
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 127-130
• 分类号: TN304.21|O782.9
• 字数: 2753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.02.009

摘要

在草酸溶液中对GaN 基板上超薄Al膜进行阳极氧化,结合扫描电镜对阳极氧化铝形貌进行表征,系统研究了超薄Al膜的腐蚀条件和氧化过程,以及Al膜的厚度,反应变化时间和实验难度系数之间的关系.多孔状阳极氧化铝的孔径、分布及有序度等对氧化电压、氧化时间、电解液温度和溶液浓度等参数较为敏感.通过深层次的机理分析,给出了相应的合理解释.在此基础上,优化了超薄阳极氧化铝的制备参数,提升了实验的稳定性及重复性,促进了阳极氧化铝在GaN材料和器件中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新中		25	40	4.0	5.0
2	于广辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	15	32	3.0	5.0
3	李世国		19	14	2.0	3.0