磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理的研究

• 作者: 何彦刚 刘效岩 刘玉岭 周建伟 李伟娟 甘小伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 黏度 去除速率 磨料 化学机械抛光 表面状态
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 664-667
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1194字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.09.003

摘要

抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素.因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要.随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化,磨料黏度作为抛光磨料重要物性参数之一,受到越来越多的重视.根据实验结果从微观角度研究了磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理,并由此得出当抛光波磨料黏度为1.5 mPa·s时,抛光速率可达到458 nm/min且抛光表面粗糙度为0.353 nm的良好表面状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0
3	何彦刚	河北工业大学微电子研究所	21	142	6.0	11.0
4	甘小伟	河北工业大学微电子研究所	6	16	3.0	3.0
5	刘效岩	河北工业大学微电子研究所	20	133	8.0	10.0
6	李伟娟	河北工业大学微电子研究所	3	5	1.0	2.0