采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜

• 作者: 梁建 许并社 赵丹 赵君芙 马淑芳
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 GaN多晶薄膜 Al缓冲层 CVD法
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 71-73
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2309字
• 语种: 中文

摘要

采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析.结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰.