电极布局对硅LED性能的影响

• 作者: 李晓云 杨广华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅LED CMOS工艺 电极版图
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 374-377
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113204.0374

摘要

采用0.35μm双栅标准CMOS工艺设计和制备了叶型硅发光器件.叶型硅发光器件由3个楔型器件的组合而成,pn结结构为n阱/p+结.使用奥林巴斯IC显微镜测得了器件的显微图形,并对器件进行了电学特性测试.器件工作在雪崩击穿下,开启电压为8.8 V,能够发出黄色可见光;正向偏置下,器件开启电压为0.8 V.在与已经制备的楔型器件比较时发现,器件发光受串联电阻分压影响,并且有点增强发光现象,这些情况均与器件的电极布局有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨广华	天津工业大学电气工程与自动化学院	25	94	6.0	8.0
5	李晓云		1	1	1.0	1.0