GaN基倒装焊LED芯片的光提取效率模拟与分析

• 作者: 杜晓晴 田健 钟广明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基倒装LED 光提取效率 光线追踪 双面粗化 AlN缓冲层
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 773-778
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113208.0773

摘要

采用蒙特卡罗光线追踪方法,模拟GaN基倒装LED芯片的光提取效率,比较了蓝宝石衬底剥离前后、蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下LED光提取效率的变化,并对粗化微元结构和尺寸作了进一步选取与优化.研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底和引入AlN缓冲层均有利于LED光提取效率的提高；蓝宝石衬底双面粗化对提高光提取效率的效果要明显好于单面粗化；表面粗化的结构和尺寸对光提取效率有较大影响,当微元特征尺寸与微元间距相当时,光提取效率较高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜晓晴	重庆大学光电技术与系统教育部重点实验室	26	198	9.0	12.0