溅射功率对镓掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响

• 作者: 刘冶 刘辉 张旺洲 李竹影
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 物理学
• 关键词: GZO薄膜:RF磁控溅射 溅射功率 光电性能
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 99-103
• 分类号: O484
• 字数: 2422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2011.12.019

摘要

本文利用射频磁控溅射的方法首次制备了厚度小于200 nm的低电阻率高透过率的镓掺杂ZnO(GZO)薄膜.研究了溅射功率的改变对GZO薄膜光电性能的影响.利用扫描电镜对薄膜的微观结构进行了观察,利用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对GZO薄膜的光电性能进行了测试.实验结果表明:薄膜电阻率随溅射功率增大而迅速下降,从46.6x 10-2 Ω·cm降低到2.5× 102 Ω.cm,随着溅射功率的增大,薄膜平均透过率在300～350nm范围内有所下降,其吸收宽度增加,但在350～380nm范围内增大,薄膜平均透过率均大于89％,计算显示GZO薄膜的禁带宽度随溅射功率的增加先增大后降低.电子形貌显示薄膜的微观结构由明显的粒子分离结构转变为连续分布状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘辉	海军工程大学理学院	32	131	8.0	9.0
2	张旺洲	海军工程大学理学院	6	29	3.0	5.0
3	李竹影	海军工程大学理学院	25	85	5.0	8.0
4	刘冶	海军工程大学理学院	13	36	3.0	5.0