Ta2O5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究

• 作者: 程佩红 陈勇跃 黄仕华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ta2O5薄膜 射频磁控溅射 C-V特性 退火 高介电常数
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 425-429,450
• 分类号: TN304.21|TB43
• 字数: 3338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.003

摘要

用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理.用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应.认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因,提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小.同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响,经600℃退火后,样品的电容最大,俘获电荷密度和漏电流最小,器件的电学性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄仕华	浙江师范大学物理系	35	96	5.0	8.0
2	程佩红	浙江师范大学物理系	3	3	1.0	1.0
3	陈勇跃	浙江师范大学物理系	1	2	1.0	1.0