退火处理对W:Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体发光性能的影响

• 作者: 俞平胜 唐慧丽 徐军 杨秋红 苏良碧 赵衡煜 郭鑫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: W: Bi4 Ge3 O12 Bi12 GeO20 光致发光 退火
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 825-829
• 分类号: O482.31
• 字数: 2226字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113208.0825

摘要

通过提拉法制备了W:Bi4 Ge3 O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等.W:Bi4 Ge3 O12的可见光发光强度比纯Bi4 Ge3 O12有所增强,而且N2中退火处理对W:Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用.Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右.两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致.