亚低温对脑缺血-再灌注损伤后神经生长因子前体凋亡前信号的影响

• 作者: 刘俊 李俊彦
• 来源期刊: 中华创伤杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 再灌注损伤,脑 低温,人工 神经生长因子 凋亡
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 颅脑损伤
• 页码范围: 201-205
• 分类号: R6
• 字数: 3671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.1001-8050.2011.03.004

摘要

目的 探讨脑缺血-再灌注损伤后神经生长因子前体(proNGF)凋亡前信号各因子的表达变化及亚低温对脑损伤的保护作用.方法 随机选择体重(220±10)g雌性SD大鼠,分为正常对照组(A组)、脑缺血-再灌注组(B组)、亚低温组(C组),B、C组又分为3,6,9 h亚组,动物死亡或模型不成功者剔除,每亚组8只.TUNEL法检测脑缺血-再灌注后及亚低温处理后脑皮质中凋亡细胞数的变化情况.RT-PCR检测每组各时相点脑皮质中proNGF、神经降压素受体3(Sortilin)及P75的表达及变化情况.结果 (1)随时间的延长,B组凋亡细胞数增加(P<0.05),C组相同时相点凋亡数均少于B组(P<0.05).(2)三组中各时相点均有各因子的表达,且随损伤时间的延长,表达逐渐上调(P<0.05);(3)C组各时相点脑皮质中各因子含量均低于B组(P<0.05).结论 (1)亚低温可减少脑缺血一再灌注损伤后的细胞凋亡.(2)proNGF所导致的细胞凋亡参与了脑缺血-再灌注损伤的发生、发展过程.(3)亚低温可能通过降低proNGF凋亡前信号的表达来减轻细胞凋亡的发生,从而抑制脑缺血-再灌注损伤后的继发性脑损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊	昆明市第一人民医院神经外科	74	167	7.0	9.0
2	李俊彦	昆明市第一人民医院神经外科	12	25	3.0	3.0