Bi2Mn0.1V0.9O5.35-δ薄膜的制备与性能研究

• 作者: 杨平雄 郭鸣
• 来源期刊: 分析测试学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Bi2 Mn0.1V0. 9O5.35-δ( BIMNVOX. 10) 电特性 铁磁性 氧空位
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 868-871,876
• 分类号: O766.1|O484.5
• 字数: 2653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4957.2011.08.007

摘要

以Bi(NO3)3·5H2O、NH4VO3和Mn(CH3COO)2· 4H2O为原料,采用溶胶凝胶法在LaNiO3(LNO)/Si(100)衬底上制备了Bi2 Mn0.1 V0.9O5.35-δ (BIMNVOX.10)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的晶体结构和形貌.结果表明,BIMNVOX.10薄膜具有(001)择优取向,晶粒大小均匀,厚度约300 nm.分别用阻抗分析仪和磁测试系统测量薄膜的电学特性和磁特性.BIMN-VOX.10薄膜的I～V曲线表明薄膜漏电流在低场下满足欧姆定律,符合Poole - Frenkel发射机制；而在1.7V以上的较高场强下符合空间电荷限制传导的Schottky发射机制.低频范围BIMNVOX.10薄膜的介电损耗现象主要来源于氧空位的短程扩散.交流电导符合Jonscher规律,低频范围主要对应几乎与频率无关的直流电导(阱内跃迁)；高频范围对应由晶粒响应产生的交流电导(阱间跃迁).样品主要表现出晶粒电导特性,阻抗谱偏离理想的Debye模型.BIMNVOX.10薄膜中观察到弱铁磁性,5.57×105 A/m(7 kOe)的磁场下剩余磁化强度为8.14×10-7 A/m( 1.05×10-4 emu/g),氧空位可能是引起铁磁性的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨平雄	华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室	17	25	2.0	4.0
2	郭鸣	井冈山大学电子信息工程学院	10	9	2.0	2.0