采用国产Am-Be中子源进行热中子活化的样品照射位置选择

• 作者: 时磊 景桂芬
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 活化 Am-Be中子源 照射位置 MCNP模拟
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 71-72,98
• 分类号: O571
• 字数: 1370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2011.01.017

摘要

利用热中子活化样品,合适的照射位置是取得良好活化效果的关键.经过MCNP模拟和实验测量,给出了采用国产Am-Be中子源进行热中子活化的样品照射位置的合理范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	时磊	四川大学物理科学与技术学院	5	3	1.0	1.0
2	景桂芬	四川大学物理科学与技术学院	5	3	1.0	1.0