高温退火对铸造多晶硅片中位错密度的影响

• 作者: 周剑 周浪 周潘兵 张美霞 张运锋 辛超 魏秀琴
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 硅片 位错 退火 冷却
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 378-381
• 分类号: TN304.07
• 字数: 2801字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.05.010

摘要

对铸造多晶硅片进行了1 000～1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计.研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中住错密度的影响.结果证实:当退火温度在1 100℃及以下时,硅片的位错密度并没有降低反而增加了;当退火温度在1 320℃及以上时,硅片的位错密度明显降低,其幅度随温度提高增大;但退火后如断电随炉冷却而不控制冷却速率,位错密度又会提高.