锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究

• 作者: 刘征 梁斌 秦军瑞 赵振宇 陈吉华
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子瞬变 压控振荡器 混合模拟
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 75-79
• 分类号: TN402
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2011.02.015

摘要

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断.压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一.本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计.研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差最小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差也是增大的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈吉华	国防科学技术大学计算机学院	8	243	4.0	8.0
2	梁斌	国防科学技术大学计算机学院	6	26	3.0	5.0
3	赵振宇	国防科学技术大学计算机学院	7	23	3.0	4.0
4	秦军瑞	国防科学技术大学计算机学院	2	5	2.0	2.0
5	刘征	国防科学技术大学计算机学院	1	2	1.0	1.0