850nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性

• 作者: 刘云 史晶晶 宁永强 张金龙 彭航宇 李再金 杨晔 王烨 王立军 王超 秦莉 胡黎明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 850 nm 锥形半导体激光器 高亮度 光束传播因子
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 593-597
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113206.0593

摘要

采用激射波长为850 rm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,设计并制备了具有条形结构和锥形结构的半导体激光器.在输出功率同为1 W时,锥形激光器的发散角、光束传播因子和亮度分别为4°、2.8和9.9 MW·cm-2·sr-1,远好于条形激光器的6°、9.2和3.0 MW·cm-2·sr-1.当外加3 A的脉冲电流时,锥形激光器峰值功率达到1.40 W,斜率效率为0.58 W/A,电光转换效率为30％.实验结果表明,锥形激光器可以在保证大功率输出的前提下,具有更高的光束质量.