基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性

• 作者: 刘明 张博 张满红 杨潇楠 王永
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 421-424
• 分类号: TN3|TP333.5
• 字数: 2317字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.002

摘要

硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高 度关注.采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺.在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性.该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	王永	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	221	1818	20.0	29.0
4	杨潇楠	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	2	0	0.0	0.0
6	张满红	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	2	1	1.0	1.0
11	张博		1	0	0.0	0.0