电场调控下不对称耦合量子点中激子的发光特性

• 作者: 俞建国 尚德双 杨平雄 王基庆 茅惠兵 赵强
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 激子 量子点 束缚态
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 650-654
• 分类号: O482.31
• 字数: 3519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113207.0650

摘要

使用有效质量模型,从理论上对GaAs/A10.35Ga0.65As不对称耦合量子点在不同耦合强度下束缚态和反束缚态的能级分裂情况进行了详细分析,重点探讨了电子和空穴的耦合隧穿对量子点体系能级特征及激子发光强度的影响.研究发现:不对称耦合量子点在外电场作用下价带束缚态和反束缚态能级出现反交现象,反交处的能级分裂值和临界电场随量子点间距的增加而减小；对应的激子发光强度也经历了从亮(暗)到暗(亮)激子的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨平雄	华东师范大学极化材料和器件教育部重点实验室	17	25	2.0	4.0
2	茅惠兵	华东师范大学极化材料和器件教育部重点实验室	12	117	6.0	10.0
3	赵强	华东师范大学极化材料和器件教育部重点实验室	21	47	3.0	6.0
4	王基庆	华东师范大学极化材料和器件教育部重点实验室	9	37	3.0	6.0
5	俞建国	华东师范大学极化材料和器件教育部重点实验室	4	9	1.0	3.0
6	尚德双	华东师范大学极化材料和器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0