电阻转变型非挥发性存储器概述

• 作者: 刘明 刘琦 刘肃 吕杭炳 李颖弢 龙世兵
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 电阻转变存储器 电阻转变 特性参数
• 年，卷（期）: 2011,（24）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 1967-1973
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/sl1434-011-4671-0

摘要

随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需要一些性能参数来评判其优缺点.对RRAM器件来说,评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率.此外,还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理,不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结,最后,对RRAM存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.