衬底温度对Al2O3掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 唐世洪 廉淑华 田力 蒋马蹄 陈姗
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: AZO 磁控溅射法 衬底温度 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试剂
• 页码范围: 23-26,30
• 分类号: TB43
• 字数: 4628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.10.007

摘要

以纯度为99.9％的陶瓷靶(w(ZnO)=98％,w(Al2O3)=2％)为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO(AZO)薄膜.采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)仪等仪器,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能进行了测试,从薄膜生长方式和缺陷散射角度分析了衬底温度对AZO薄膜的影响.结果表明:当衬底温度在室温至300℃温度区间内时,其对AZO薄膜性能的影响显著.衬底温度为200℃时制得的薄膜具有良好的结晶度和光电性能,其可见光透过率为85％,电阻率为2.67×10-3Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐世洪	吉首大学物理科学与信息工程学院	11	43	3.0	6.0
2	田力	吉首大学物理科学与信息工程学院	6	11	3.0	3.0
3	陈姗	吉首大学物理科学与信息工程学院	2	8	2.0	2.0
4	蒋马蹄	吉首大学物理科学与信息工程学院	2	8	2.0	2.0
5	廉淑华	吉首大学物理科学与信息工程学院	2	8	2.0	2.0