烧结助剂及β-Si3N4添加量对多孔氮化硅陶瓷性能的影响

• 作者: 于平平 于方丽 杨建锋 王俭志
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 烧结助剂 氮化硅 气孔率 常压烧结 力学性能
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 772-778,783
• 分类号: TQL74
• 字数: 3960字
• 语种: 中文

摘要

通过添加不同烧结助剂(Lu2O3、Y2O3和Al2O3)及β-Si3N4粉末含量,采用常压烧结工艺制备出性能优异的多孔氮化硅陶瓷.研究了烧结助剂种类及β-Si3N4添加量对多孔氮化硅陶瓷物相、微观组织和力学性能的影响.结果表明:当Lu2O3添加量为5 wt%、β-Si3N4为3 wt%时,制备了由长柱状β-Si3N4晶粒组成、平均长径比为6.87、直径为0.6μm长度为4.4～10.4 μm的多孔氮化硅陶瓷,其抗弯强度可达330.7 MPa.β-Si3N4添加量至5 wt%时,柱状晶粒发育良好,长径比增加至7以上,气孔率高达48%,但抗弯强度下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建锋	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	48	283	10.0	14.0
2	于方丽	盐城工学院材料工程学院	18	47	4.0	6.0
6	于平平	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	9	2.0	2.0
7	王俭志	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	2	9	2.0	2.0