脉冲激光沉积法制备β-FeSi2半导体薄膜

• 作者: 侯娟 刘爱华 满宝元 许士才 郭进进 马玉英
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: β-FeSi2 薄膜 PLD 光致发光 3D显微分析
• 年，卷（期）: 2011,（16）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 23-26
• 分类号: O484.4
• 字数: 3074字
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性.分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	满宝元	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	34	269	8.0	15.0
2	刘爱华	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	19	151	7.0	11.0
3	马玉英	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	4	17	3.0	4.0
4	许士才	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	4	13	2.0	3.0
5	郭进进	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	4	22	3.0	4.0
6	侯娟	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	4	22	3.0	4.0