自蔓延高温合成法(SHS)制备SiC颗粒

• 作者: 杨通 梁艳峰 董晟全
• 来源期刊: 特种铸造及有色合金
• 关键词: 粉末压块 高温自蔓延反应 SiC颗粒
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 73-75
• 分类号: TB333
• 语种: 中文
• DOI: 10.3870/tzzz.2011.01.024

摘要

通过SEM、XRD手段对(Si-C-Ti)粉末压块的高温自蔓延反应进行了研究,获得了SiC颗粒.设计压块为内外两层,外层是Ti粉和石墨粉(C),摩尔比为1:1,内层是Si粉和石墨粉,摩尔比也为1:1.结果表明,可以利用压块外层Ti-C反应生成TiC放出的热量引发内层Si-C反应生成SiC颗粒.当外层粉末与内层粉末的质量比为4:1,加热温度为1 050℃时,内层Si粉与C粉可以充分反应生成SiC颗粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁艳峰	西安工业大学材料与化工学院	41	209	8.0	13.0
2	董晟全	西安工业大学材料与化工学院	58	278	10.0	13.0
3	杨通	西安工业大学材料与化工学院	51	431	12.0	18.0