CBS涂层对多孔氮化硅高温高频介电性能的影响

• 作者: 孙雨薇 张健 王树彬
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: CaO-B2O3-SiO2涂层 氮化硅 多孔陶瓷 高频介电性能
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 42-45
• 分类号: V254.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2011.02.009

摘要

采用溶胶-凝胶法在多孔氮化硅表面制备了CaO-B2O3-SiO2(简称为CBS)微晶玻璃致密涂层.用高Q腔一腔多模扫频方法测量了样品从7.3GHz至18.4GHz频率范围内室温到1200℃的介电常数和介电损耗,研究了CBS涂层对多孔氮化硅高温高频介电性能的影响.结果表明:多孔氮化硅经表面处理后的介电常数略有增大,随着频率增大介电损耗的波动减小;9.2GHz典型频率下,样品介电常数的温度系数增大;室温下介电损耗降低了60%以上;表面处理改善了介电损耗的温度稳定性,满足高温宽频天线罩透波性能要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙雨薇	北京航空航天大学材料科学与工程学院	1	7	1.0	1.0
2	王树彬	北京航空航天大学材料科学与工程学院	18	160	7.0	12.0
3	张健	北京航天材料及工艺研究所先进功能复合材料技术国防科技重点实验室	8	26	4.0	5.0