化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究

• 作者: 吴宏景 席彩萍 李昭宁 沈中元 王六定 王小冬 赵景辉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学掺杂 石墨纳米带 第一性原理
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 48-52
• 分类号: O469
• 字数: 2710字
• 语种: 中文

摘要

本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王六定	西北工业大学理学院	33	212	7.0	13.0
2	席彩萍	西北工业大学理学院	4	17	3.0	4.0
3	王小冬	西北工业大学理学院	4	17	3.0	4.0
4	李昭宁	西北工业大学理学院	4	17	3.0	4.0
5	赵景辉	西北工业大学理学院	2	4	1.0	2.0
6	沈中元	西北工业大学理学院	1	0	0.0	0.0
7	吴宏景	西北工业大学理学院	1	0	0.0	0.0