基于高能γ源的CdZnTe成像探测器极化效应研究

• 作者: 张流强 曹玉琳 沈敏 王玺 肖沙里 陈宇晓 黎淼
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 辐射成像探测 半导体探测器 CdZnTe 极化效应 像素阵列
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1005-1010
• 分类号: TL816
• 语种: 中文

摘要

应用第一类边界条件泊松方程,推导了碲锌镉(CdZnTe)探测器晶体内部电势分布,研究了CdZnTe探测器在137 Cs高能γ源成像探测过程中的极化效应.数值计算与实验结果表明:在低辐射注量率条件下,即CdZnTe晶体内部载流子电荷密度较低时,内部电势分布主要受外加偏压影响,晶体内部电势与偏压为线性关系,电场呈均匀分布.在高辐射注量率条件下,即晶体内部载流子电荷密度较高时,内部电势分布出现极化区域,电场分布发生扭曲,电子载流子向辐照区域外侧迁移,形成辐照中心无信号而辐照边缘区域仍有响应信号的极化探测图像.极化效应造成CdZnTe探测器探测性能严重退化,辐照边缘区域像素事件计数下降约70％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖沙里	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	123	988	14.0	24.0
2	陈宇晓	中国工程物理研究院电子工程研究所	32	161	7.0	10.0
3	张流强	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	34	188	7.0	11.0
4	沈敏	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	14	58	4.0	7.0
5	黎淼	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	7	30	4.0	5.0
6	曹玉琳	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	58	5.0	6.0
7	王玺	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	7	30	4.0	5.0