Ru2Si3在应力作用下的第一性原理研究

• 作者: 崔冬萌 谢泉 贾锐 赵珂杰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ru2Si3 第一性原理 应力 电子结构
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 907-912
• 分类号: O471.5|O472.3
• 字数: 2920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113209.0907

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较.计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽；随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙.光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾锐	中国科学院微电子研究所	29	160	6.0	11.0
2	谢泉	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
3	崔冬萌	中国科学院微电子研究所	5	10	2.0	3.0
4	赵珂杰	中国科学院微电子研究所	3	7	2.0	2.0