磁控溅射法制备氧化铜纳米线阵列薄膜及其气敏性质

• 作者: 万绍明 乔振聪 庞山 杜祖亮 武兴会 王广君 程轲 袁占强
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 磁控溅射 CuO纳米线 阵列薄膜 气敏性质
• 年，卷（期）: 2011,（28）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 2383-2388
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/972011-418

摘要

通过磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)衬底上溅射金属铜薄膜,所制备的Cu薄膜在管式炉中退火氧化生长得到CuO纳米线阵列薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征,并研究了这种通过磁控溅射得到的CuO纳米线阵列薄膜对CO和H2S的气敏性质.研究结果表明,CuO纳米线阵列薄膜在250℃时对CO气体具有最强的气敏响应,并且当CO浓度增大时其气敏响应明显增强.而对于H2S气体,在常温下CuO纳米线阵列薄膜能够对低浓度的H2S气体响应,说明这种CuO纳米线阵列薄膜可以在常温、低浓度下探测H2S气体；而当测试温度升高时,其电阻值在H2S气体氛围中迅速减小.我们对这种异常的电阻变化现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜祖亮		128	1108	17.0	27.0
2	万绍明		10	23	2.0	4.0
3	程轲		15	115	7.0	10.0
4	袁占强		3	12	1.0	3.0
5	庞山		8	45	4.0	6.0
6	王广君		10	47	4.0	6.0
7	乔振聪		1	0	0.0	0.0
8	武兴会		1	0	0.0	0.0