GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征

• 作者: 张国义 李广如 桑立雯 沈波 秦志新
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外探测器 雪崩 碰撞电离
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 262-265
• 分类号: TN364
• 字数: 1773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113203.0262

摘要

制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器.器件在-5V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA.响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量.C-V测量用来确定载流子的分布和耗尽信息,结果显示,P型层在15 V左右达到耗尽,对应的空穴载流子浓度在1.9×10"cm-1左右,相对低的载流子浓度降低了电场限制,使探测器的工作电压相对偏高.在不同偏压下测量的光谱响应曲线显示出明显的Franz-Keldysh效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义		4	31	3.0	4.0
2	沈波		2	6	1.0	2.0
3	李广如		1	5	1.0	1.0
4	秦志新		4	96	3.0	4.0
5	桑立雯		2	9	2.0	2.0