一种非线性二阶补偿的CMOS带隙基准源

• 作者: 杨虹 王懋伟
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 非线性二阶补偿 冗余晶体管
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 理论与研究
• 页码范围: 5-7,16
• 分类号: TN432
• 字数: 2242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2011.02.002

摘要

该文依据带隙基准的基准原理设计-基于CSMC0.5um标准CMOS工艺的非线性二阶补偿的带隙基准电压源,在基准中利用非线性电流INL进行二阶补偿,该基准源的工作温度为-25℃～-125℃.温度系数为24×10-6V/℃.增加基于冗余晶体管的启动电路电流仅为1-2uA,具有较小的功耗,较好的可靠性.常温下的输出电压为1.25V,电源电压为33V-5.0V,达到了-般的应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨虹	重庆邮电大学光电工程学院	106	285	8.0	10.0
2	王懋伟	重庆邮电大学光电工程学院	1	0	0.0	0.0