ICP刻蚀硅形貌控制研究

• 作者: 冯丽爽 刘惠兰 刘欢 周震 王坤博
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ICP刻蚀 硅 形貌控制 bowing效应 工艺参数
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 200-203
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2011.02.009

摘要

硅的刻蚀形貌控制是MEMS器件加工中的关键技术之一,形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果,任何影响刻蚀和钝化反应的因素都会影响到刻蚀形貌.采用中科院微电子研发中心研制的基于化学平衡原理的ICP-98A等离子刻蚀机,对ICP刻蚀当中影响形貌的关键工艺参数进行了研究和分析,研究了源功率RF1、射频功率RF2及气体(SF6和C4F8)比例对刻蚀形貌的影响,分析了bowing现象产生机制,并给出了降低这种现象的工艺方法.该研究对提高硅的ICP刻蚀形貌控制具有重要的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯丽爽	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	85	462	12.0	19.0
2	周震	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	26	58	4.0	7.0
3	刘惠兰	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	29	156	6.0	12.0
4	刘欢	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	8	46	3.0	6.0
5	王坤博	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	3	30	2.0	3.0