SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响

• 作者: 任世荣 孙建 张存善 张晓丹 耿新华 赵颖 陈新亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束沉积技术 SiO2阻挡层 IWO薄膜 高迁移率
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 843-847
• 分类号: O484
• 字数: 3151字
• 语种: 中文

摘要

利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO( In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究.SiO2缓冲层在室温生长.SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜.实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm2·V-1·s-1,电阻率p ～5.86×10-4Ω,cm,电子载流子浓度n～ 1.95×1020 cm-3,400～1600nm砌光谱区域内的平均透过率～76％.