应用于负电源的电平位移电路及器件设计

• 作者: 傅达平 庄翔 王猛 胡曦 赵远远
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 电平位移 薄膜SOI LDMOS 负电源 开态击穿电压
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: TN432

摘要

本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0-8V低压逻辑输入到8-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理．并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王猛	电子科技大学功率集成技术实验室	18	4	2.0	2.0
2	赵远远	电子科技大学功率集成技术实验室	4	4	1.0	2.0
3	傅达平	电子科技大学功率集成技术实验室	2	0	0.0	0.0
4	胡曦	电子科技大学功率集成技术实验室	2	0	0.0	0.0
5	庄翔	电子科技大学功率集成技术实验室	3	4	1.0	2.0