双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

• 作者: 刘石勇 姚文杰 彭文博 曾湘波 杨萍 王占国 王超 谢小兵
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 纳米硅 氢稀释比 光学带隙
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 5-7,13
• 分类号: TK511
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2011.08.003

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm.对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究.结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加.提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%.