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摘要:
近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度(T=80℃)连续激射,激射波长2μm出光功率63.7mW,达到国内领先水平。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高温连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器
来源期刊 功能材料信息 学科 工学
关键词 应变量子阱激光器 激射波长 中国科学院半导体研究所 分子束外延技术 锑化物 国家重点实验室 波段 高温
年,卷(期) gnclxx_2011,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 55-56
页数 2页 分类号 TN248.4
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研究主题发展历程
节点文献
应变量子阱激光器
激射波长
中国科学院半导体研究所
分子束外延技术
锑化物
国家重点实验室
波段
高温
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料信息
双月刊
32开
重庆市北碚区蔡家岗镇嘉德大道8号
2004
chi
出版文献量(篇)
7130
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19
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