大功率VDMOS(200V)的设计研究

• 作者: 许允亮 陈骞 黄京才
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 纵向双扩散金属氧化物半导体 漏源电压 导通电阻 封装
• 年，卷（期）: 2011,（18）
• 所属期刊栏目: 制控与驱动
• 页码范围: 195-197
• 分类号: TN710-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2011.18.059

摘要

介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法.对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化.设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围:外延厚度为20 μm,外延电阻率为5 Ω·cm；栅氧厚度为52 nm;P阱注入剂量为3×313cm-2,推阱时间65 min.将流片结果与仿真结果进行了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄京才		2	19	2.0	2.0
2	陈骞		4	2	1.0	1.0
3	许允亮		5	3	1.0	1.0