XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性

• 作者: 于威 傅广生 张坤 张子才 滕晓云
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 XPS (N)o缺陷
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 1199-1202
• 分类号: O484
• 字数: 2616字
• 语种: 中文

摘要

采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2 O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品.Hall测量表明室温下ZnAlO∶N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型.p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,霍尔迁移率为5 cm2/V·s.用X射线光电子能谱仪(XPS)对退火前后的ZnO薄膜进行了各元素的化学态分析.XPS结果表明,ZnAlO∶N薄膜中存在两种与N元素有关的缺陷,N原子替代O位形成的(N)o和N分子替代O位形成的(N2)o.退火后ZnAlO∶N薄膜中(N2)o缺陷减少,(N)o缺陷浓度占优导致了薄膜传导类型转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
3	滕晓云	河北大学物理科学与技术学院	21	214	5.0	14.0
4	张坤	河北大学工商学院	14	102	5.0	9.0
5	张子才	河北大学工商学院	12	91	5.0	9.0