Cu2O半导体薄膜在酸性条件下的电化学沉积

• 作者: 吴坚强 江毅 王群 胡飞 陈镜昌
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化亚铜 电沉积 溶液温度 电流密度
• 年，卷（期）: 2011,（z3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 488-491
• 分类号: TQ153.3
• 字数: 3525字
• 语种: 中文

摘要

在酸性溶液中在透明导电玻璃(ITO)基体上电化学沉积Cu2O薄膜.通过实验研究了电沉积工艺条件对电沉积Cu2O薄膜的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析.结果表明,水浴温度较高时,酸性镀液中Ac-HAc共轭缓冲体系的反应速率提高,可以有效抑制铜单质的生长;镀液中铜离子的浓度会影响工作电极表面铜离子的浓度梯度,使得Cu2O在不同镀液下形成不同方向的择优取向;在双电极条件下可以提高电沉积Cu2O薄膜的电流密度至4mA/cm2,远远高于文献报导在三电极体系下低于1mA/cm2的工作电流密度.生成的氧化亚铜薄膜具有多孔结构,禁带宽度Eg约为2.4eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴坚强	景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院	51	239	9.0	13.0
2	胡飞	景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院	28	129	7.0	10.0
3	江毅	景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院	27	129	5.0	10.0
4	王群	景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院	27	89	5.0	7.0