几种元素的界面插层对Ta/NiFe/Ta的各向异性磁电阻效应的影响

• 作者: 蔡建旺 许涌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 各向异性磁电阻 界面效应 原子扩散
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 618-624
• 分类号: O64
• 语种: 中文

摘要

文章中,通过磁控溅射制备了界面处插入4d,5d元素薄层（包括Ru,Pd,Ag和Au）的Ta/NiFe/Ta多层膜,并对它们的磁输运和磁性以及微结构进行了测试和表征.结果显示,Pd和Pt一样界面效应显著,能有效地提高NiFe薄膜退火前后的AMR比值,并抑制磁性死层.表面能比较小、熔点相对低的插层材料Ag,Au在退火过程中容易通过晶界扩散,强烈破坏其AMR性能.对于熔点高、表面能比较大的插层材料如Ru,磁性死层同样得到了抑制,NiFe薄膜的温度稳定性也可以得到提高.结果表明界面插层从界面电子自旋-轨道散射、界面死层和界面原子扩散等方面深刻影响NiFe薄膜的AMR.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许涌	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	1	6	1.0	1.0
2	蔡建旺	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所	1	6	1.0	1.0