非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究

• 作者: 兰伟 刘雪芹 朱承泉 李育仁 潘佳奇 苏庆 谢二庆
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu-Al-O 衬底温度 透过率 电导率
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 613-617
• 分类号: O484.41
• 语种: 中文

摘要

考虑到铜铝溅射速率的差别,使用铜铝比例为0.9：1的多晶CuAlO2靶材,用射频磁控溅射法制备Cu-Al-O薄膜.研究不同衬底温度对薄膜光学电学性能的影响.在衬底温度500℃附近,薄膜在可见光范围内具有很好的透光性,达到70%,计算拟合得到直接帯隙为3.52eV,与CuAlO2相的理论值符合较好.在室温附近,薄膜导电符合半导体热激活机理,在衬底温度为500℃附近薄膜电导率达到2.48×10-3S·cm-1.