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摘要：

We create a GaN photocathode based on graded AlxGa1-xN buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer interface on the photoemission of transmission-mode GaN photocathodes. A gateshaped spectral response with a 260-nm starting wavelength and a 375-nm cut-off wavelength is obtained.Average quantum efficiency is 15% and short wavelength responses are almost equivalent to long wavelength ones. The fitted interface recombination velocity is 5×104 cm/s, with negligible magnitude, proving that the design of the graded buffer layers is efficient in obtaining good interface quality between the buffer and the emission layer.

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篇名
来源期刊	中国光学快报（英文版）	学科
关键词
年，卷（期）	2011,（1）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	17-20
页数	4页	分类号
字数		语种	英文
DOI	10.3788/COL201109.010401