晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究

• 作者: 周勇波 张进成 张金风 王平亚 薛军帅 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAlN/GaN 二维电子气 迁移率
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 597-602
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气（2DEG）特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射、极性光学声子散射、位错散射、合金无序散射和界面粗糙度散射,理论分析了温度对迁移率的影响,发现室温下两种材料中2DEG支配性的散射机理都是极性光学波散射和界面粗糙度散射;AlN插入层对InAlN/GaN材料迁移率的改善作用一方面是免除2DEG的合金无序散射,另外还显著改善异质界面,抑制了界面粗糙度散射.考虑到2DEG密度也是影响其迁移率的重要因素,结合实验数据给出了晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料的2DEG迁移率随电子密度变化的理论上限.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王平亚	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0
2	张金风	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0
3	薛军帅	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0
4	周勇波	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0
5	张进成	宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	11	2.0	2.0