D-B-A分子整流特性的端基效应

• 作者: 张俊俊 张振华 潘金波 郭超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子整流器 端基 密度泛函理论 非平衡格林函数
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 590-596
• 分类号: O561.2
• 语种: 中文

摘要

利用密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了基于同一D-B-A分子在改变端基后形成的4个不同的分子器件的电子输运特性及整流效果.研究表明：端基的改变,能明显影响分子器件的整流效果,这是因为端基能影响分子与电极的耦合程度,从而改变了分子轨道的离域性,进而影响分子的电子输运特性及整流效果.更有趣的是,由于分子轨道HOMO和LUMO随偏压极性不同的非对称移动,导致整流器的整流方向与Aviram和Ratner分子整流器相反.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张振华	长沙理工大学物理与电子科学学院	38	195	9.0	12.0
2	潘金波	长沙理工大学物理与电子科学学院	2	1	1.0	1.0
3	郭超	长沙理工大学物理与电子科学学院	7	4	1.0	1.0
4	张俊俊	长沙理工大学物理与电子科学学院	2	0	0.0	0.0