基于平面工艺硅探测器的β伏打微核能电池

• 作者: 何高魁 刘洋 孟欣 张凯 郝晓勇 黄小健
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: β伏打微核能电池 平面工艺 硅探测器
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 页码范围: 1218-1222
• 分类号: TL814
• 字数: 3195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2011.11.008

摘要

简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响.实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15V～0.3V,采用串、并联方式可以获得较大的输出功率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝晓勇		9	14	2.0	3.0
2	孟欣		3	8	1.0	2.0
3	何高魁		13	24	4.0	4.0
4	刘洋		19	27	3.0	5.0
5	张凯		13	8	2.0	2.0
6	黄小健		7	17	3.0	4.0