退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究

• 作者: 李景 蒋春萍 钱波 顾济华 马仙梅
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgZnO薄膜 禁带宽度 (220)取向 退火温度
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 77-80
• 分类号: O766
• 字数: 2549字
• 语种: 中文

摘要

采用激光脉冲沉积法(PLD)在石英玻璃上成功制备了一系列MgZnO薄膜.并通过选用高Mg含量的靶材,成功将薄膜的吸收边调节至极紫外区域(200～280nm),经计算MgZnO薄膜的带隙高达5.46eV.进一步研究这种高Mg含量的MgZnO薄膜的结构特性,对薄膜进行了热退火处理,并首次观察到依赖于退火温度变化的(220)取向衍射峰的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾济华	苏州大学物理科学与技术学院	85	716	13.0	22.0
2	李景	苏州大学物理科学与技术学院	12	509	6.0	12.0
4	蒋春萍	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	7	4	1.0	1.0
7	钱波	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	0	0.0	0.0
8	马仙梅	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	0	0.0	0.0